ВЛИЯНИЕ ПАРАМЕТРОВ МИО НА ДОНОРНО-АКЦЕПТОРНУЮ РЕКОМБИНАЦИЮ НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В НЕУПОРЯДОЧЕННЫХ СТРУКТУРАХ

А. В. Богданов; Б. В. Малыгин; А. П. Бень; М. Ю. Коновалов

А. В. Богданов Херсонская государственная морская академия
Б. В. Малыгин Херсонская государственная морская академия
А. П. Бень Херсонская государственная морская академия
М. Ю. Коновалов Херсонская государственная морская академия

Ключові слова: магнетики, домени, донорно-акцепторна рекомбінація носіїв заряду, індуктивність, соленоїд, magnetic, domains, donor-acceptor recombination of charge carriers, inductance, solenoid

Анотація

У статті запропонована модель довгострокової намагніченості на основі донорно-акцепторної рекомбінації неврівноважених носіїв заряду, розташованих на кордонах доменів в магнетиках. Виведені рівняння, що описують довготривалу релаксацію неврівноважених носіїв заряду. Експериментально досліджено вплив частоти, тривалості та форми імпульсів магнітного поля на величину індукції в соленоїді.

A model of long-term magnetization on the basis of donor-acceptor recombination of disordered charge carries located at the domain borders in magnetic is proposed. The equations describing the long-term relaxation of disordered charge carriers are done. The effect of frequency, duration and shape of the pulses in the magnetic field on the induction value in solenoid is experimentally researched.

Посилання

Малыгин Б. В. Магнитное упрочение изделий (теория и практика) / Б. В. Малыгин, А. П. Бень. – Херсон : Издательство Херсонского государственного морского института, 2009. – 352 с.

Богданов А. В. Механизм образования отрицательного дифференциального сопротивления N – типа в неупорядоченных структурах. / А. В. Богданов, Б. В. Малыгин, М. Ю. Коновалов, А. П. Бень. – ААЭКС, 2011 (в печати).

Богданов А. В. Вольтамперные характеристики синтетических полупроводниковых алмазов, легированных в процессе синтеза бором. / Богданов А. В., Преснов В. А. // Изв. вузов СССР ; Сер. Физика. – 1978. – № 9. – С. 130-132.

Богданов А. В. Приборы на основе полупроводниковых алмазов / Богданов А. В., Викулин И. М. // Обзоры по электронной технике. Серия 2. Полупроводниковые приборы. Выпуск 3 (1274). – Москва: Изд-во ЦНИИ «Электроника», 1987. – 56 с.

Бонч-Бруевич В. Л. Физика полупроводников / В. Л. Бонч-Бруевич, С. Г. Калашников. – М. : Наука, 1977. – 672 с.