THE ANALYSIS OF ELECTROPHYSICAL AND LUMINESCENT CHARACTERISTICS OF EPITAXY LAYERS OF GaAs:Ge WHEN USING ISOVALENCY METAL-SOLVENT
Keywords:
gallium arsenide, germanium, liquid phase epitaxy, bismuth, electrophysical parameters, luminescent parameters
Abstract
In this work electrophysical and luminescent parameters the epitaxy layers of GаАs received from solutionmelt of structure of Bi – Ga – As with impurity addition germanium were investigated. The mechanism of formation and distribution of alloying impurity and creation of defects in an epitaxy layer is considered at a variation of a share of bismuth in solution- melt. Possibilities of management in the p-n-parameters of structures GaAs: Ge which have been grown up on a basis gallium - bismuth melts are shown.
References
Алферов Ж. И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, М. К. Трукан // ФТП – 1972. – Т. 6, № 10. – С. 2015-2026.
Якушева Н. А. Инверсия типа проводимости в слоях арсенида галлия, легированных германием в процессе жидкофазной эпитаксии / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская // Электронная техника. – 1985. – В. 1 (200). – С. 47-49.
Якушева Н. А. Электрические свойства легированных германием слоев GaAs, полученных из висмутового раствора-расплава / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская, В. Н. Созинов // Неорганические материалы. – 1985. – Т. 21, № 4. – С. 534-536.
Пека Г. П. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко – К. : Технiка, 1986. – 152 с.
Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов – М. : Высшая школа, 1987. – 239 с.
Бирюлин Ю. Ф. Фотолюминесценции легированного германием и висмутом / [Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев и др.] // Письма ЖТФ. – 1986. – Т. 13, В. 20. – С. 1264-1267.
Алферов Ж. И. Энергетический спектр GaAs, легированного Sі / [Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, Е. П. Морозов, И. И. Протасов, Д. Н. Третьяков] // ФТТ. – 1968. – Т. 10, В. 9. – С. 2861-2865.
Дубровская В. С. Квантовый выход излучения GaAs p-n-структур, легированых кремнием / [В. С. Дубровская, Р. И. Кривошеева, С. С. Мескин, Н. Ф. Недельский, В. Н. Равич, В. И. Соболев, Б. В. Царенков, Л. А. Чичерин ] // ФТП. – 1969. – Т. 3, в. 12. –
С. 1815 – 1820.
Алферов Ж. И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия. / [Алферов Ж. И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Трукан М. К. ] // ФТП. – 1972. т. 6, в. 10. – С.2015 – 2026.
Леванюк А. П. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. / Леванюк А. П., Осипов В. В. // УФН. – 1981. т. 133, в. 3. – С. 427 – 477.
Якушева Н. А. Инверсия типа проводимости в слоях арсенида галлия, легированных германием в процессе жидкофазной эпитаксии / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская // Электронная техника. – 1985. – В. 1 (200). – С. 47-49.
Якушева Н. А. Электрические свойства легированных германием слоев GaAs, полученных из висмутового раствора-расплава / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская, В. Н. Созинов // Неорганические материалы. – 1985. – Т. 21, № 4. – С. 534-536.
Пека Г. П. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко – К. : Технiка, 1986. – 152 с.
Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов – М. : Высшая школа, 1987. – 239 с.
Бирюлин Ю. Ф. Фотолюминесценции легированного германием и висмутом / [Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев и др.] // Письма ЖТФ. – 1986. – Т. 13, В. 20. – С. 1264-1267.
Алферов Ж. И. Энергетический спектр GaAs, легированного Sі / [Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, Е. П. Морозов, И. И. Протасов, Д. Н. Третьяков] // ФТТ. – 1968. – Т. 10, В. 9. – С. 2861-2865.
Дубровская В. С. Квантовый выход излучения GaAs p-n-структур, легированых кремнием / [В. С. Дубровская, Р. И. Кривошеева, С. С. Мескин, Н. Ф. Недельский, В. Н. Равич, В. И. Соболев, Б. В. Царенков, Л. А. Чичерин ] // ФТП. – 1969. – Т. 3, в. 12. –
С. 1815 – 1820.
Алферов Ж. И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия. / [Алферов Ж. И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Трукан М. К. ] // ФТП. – 1972. т. 6, в. 10. – С.2015 – 2026.
Леванюк А. П. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. / Леванюк А. П., Осипов В. В. // УФН. – 1981. т. 133, в. 3. – С. 427 – 477.
Published
2012-11-26
Section
Статті
