АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОФИЗИЧЕСКИХ И ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК ЭПИТАКСИАЛЬНЫХ СЛОЕВ GaAs:Ge ПРИ ИСПОЛЬЗОВАНИИ ИЗОВАЛЕНТНОГО МЕТАЛЛАРАСТВОРИТЕЛЯ
Ключові слова:
арсенід галію, германій, рідкофазна епітаксія, вісмут, електрофізичні параметри, люмінесцентні параметри
Анотація
В даній роботі досліджувались електрофізичні та люмінісцентні параметри епітаксійних шарів GаАs отриманих із розчину-розплаву складу Bi – Ga – As з добавленням домішки германію. Розглянуто механізм формування і розподілу легуючої домішки і створення дефектів в епітаксійному шарі при варіації частки вісмуту в розчині-розплаві. Показані можливості управління параметрами p-n-структур GaAs:Ge, що вирощені на основі галій-вісмутових розплавів.
Посилання
Алферов Ж. И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия / Ж. И. Алферов, В. М. Андреев, Д. З. Гарбузов, М. К. Трукан // ФТП – 1972. – Т. 6, № 10. – С. 2015-2026.
Якушева Н. А. Инверсия типа проводимости в слоях арсенида галлия, легированных германием в процессе жидкофазной эпитаксии / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская // Электронная техника. – 1985. – В. 1 (200). – С. 47-49.
Якушева Н. А. Электрические свойства легированных германием слоев GaAs, полученных из висмутового раствора-расплава / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская, В. Н. Созинов // Неорганические материалы. – 1985. – Т. 21, № 4. – С. 534-536.
Пека Г. П. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко – К. : Технiка, 1986. – 152 с.
Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов – М. : Высшая школа, 1987. – 239 с.
Бирюлин Ю. Ф. Фотолюминесценции легированного германием и висмутом / [Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев и др.] // Письма ЖТФ. – 1986. – Т. 13, В. 20. – С. 1264-1267.
Алферов Ж. И. Энергетический спектр GaAs, легированного Sі / [Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, Е. П. Морозов, И. И. Протасов, Д. Н. Третьяков] // ФТТ. – 1968. – Т. 10, В. 9. – С. 2861-2865.
Дубровская В. С. Квантовый выход излучения GaAs p-n-структур, легированых кремнием / [В. С. Дубровская, Р. И. Кривошеева, С. С. Мескин, Н. Ф. Недельский, В. Н. Равич, В. И. Соболев, Б. В. Царенков, Л. А. Чичерин ] // ФТП. – 1969. – Т. 3, в. 12. –
С. 1815 – 1820.
Алферов Ж. И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия. / [Алферов Ж. И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Трукан М. К. ] // ФТП. – 1972. т. 6, в. 10. – С.2015 – 2026.
Леванюк А. П. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. / Леванюк А. П., Осипов В. В. // УФН. – 1981. т. 133, в. 3. – С. 427 – 477.
Якушева Н. А. Инверсия типа проводимости в слоях арсенида галлия, легированных германием в процессе жидкофазной эпитаксии / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская // Электронная техника. – 1985. – В. 1 (200). – С. 47-49.
Якушева Н. А. Электрические свойства легированных германием слоев GaAs, полученных из висмутового раствора-расплава / Н. А. Якушева, Г. В. Сикорская, В. Н. Созинов // Неорганические материалы. – 1985. – Т. 21, № 4. – С. 534-536.
Пека Г. П. Люминесцентные методы контроля параметров полупроводниковых материалов и приборов / Г. П. Пека, В. Ф. Коваленко, В. Н. Куценко – К. : Технiка, 1986. – 152 с.
Павлов Л. П. Методы измерения параметров полупроводниковых материалов / Л. П. Павлов – М. : Высшая школа, 1987. – 239 с.
Бирюлин Ю. Ф. Фотолюминесценции легированного германием и висмутом / [Ю. Ф. Бирюлин, В. В. Воробьева, Л. В. Голубев и др.] // Письма ЖТФ. – 1986. – Т. 13, В. 20. – С. 1264-1267.
Алферов Ж. И. Энергетический спектр GaAs, легированного Sі / [Ж. И. Алферов, Д. З. Гарбузов, Е. П. Морозов, И. И. Протасов, Д. Н. Третьяков] // ФТТ. – 1968. – Т. 10, В. 9. – С. 2861-2865.
Дубровская В. С. Квантовый выход излучения GaAs p-n-структур, легированых кремнием / [В. С. Дубровская, Р. И. Кривошеева, С. С. Мескин, Н. Ф. Недельский, В. Н. Равич, В. И. Соболев, Б. В. Царенков, Л. А. Чичерин ] // ФТП. – 1969. – Т. 3, в. 12. –
С. 1815 – 1820.
Алферов Ж. И. Излучательная рекомбинация в эпитаксиальном компенсированном арсениде галлия. / [Алферов Ж. И., Андреев В. М., Гарбузов Д. З., Трукан М. К. ] // ФТП. – 1972. т. 6, в. 10. – С.2015 – 2026.
Леванюк А. П. Краевая люминесценция прямозонных полупроводников. / Леванюк А. П., Осипов В. В. // УФН. – 1981. т. 133, в. 3. – С. 427 – 477.
Опубліковано
2012-11-26
Розділ
Статті
